Transistor IRF630

Transistor IRF630 - Alta Performance e Confiabilidade para suas Aplicações

O Transistor IRF630, um MOSFET de canal N encapsulado no formato TO-220, é a solução ideal para projetos que exigem alta performance e confiabilidade. Sua construção robusta e características elétricas superiores o tornam perfeito para uma ampla gama de aplicações, desde projetos de alta potência até circuitos que necessitam de alta velocidade de comutação, como sistemas PWM. Este componente garante um desempenho excepcional e durabilidade em suas criações eletrônicas.

Características e Especificações Técnicas

• Modelo: IRF630
• Encapsulamento: TO-220 (3 pinos)
• Tensão V_DS (Drain-source): 200V
• Corrente de drenagem (I_D): 9A
• Dissipação de potência total (P_D): 120W
• Temperatura de junção (T_j): 175°C
• Temperatura de operação: -55°C a +175°C
• Cor: Preto
• Largura: 10,16 mm (0,4 polegadas)
• Altura: 15,24 mm (0,6 polegadas)
• Espessura: 4,45 mm (0,175 polegadas)
• Espaçamento entre pinos: 2,54 mm (0,1 polegadas)
• Peso: 2g

O encapsulamento TO-220 é universalmente reconhecido por sua baixa resistência térmica e custo-benefício, tornando-o uma escolha inteligente para aplicações comerciais e industriais que exigem dissipação de energia eficiente. A Soldafria oferece este componente de alta qualidade, garantindo o sucesso de seus projetos.

Aplicações

• Circuitos de comutação de alta velocidade
• Sistemas PWM (Pulse Width Modulation)
• Aplicações de alta potência
• Controladores de motores

Sua ampla faixa de temperatura de operação garante um desempenho consistente em diversos ambientes, tornando o IRF630 uma escolha confiável para projetos robustos e de longa duração. Com o IRF630 da Soldafria, você terá a garantia de um componente de alta qualidade para seus projetos eletrônicos, assegurando performance e confiabilidade.

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